Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7466PBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7466

IRF7466PBF Hakkında

IRF7466PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 30V drain-source voltaj değeri ve 11A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-SO (8-pin Small Outline) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 12.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama hızı, güç MOSFET uygulamaları, DC-DC konvertörler ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 2.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sınırlı ısıl yönetim gereksinimleri olan tasarımlara uygun bir çözümdür. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olup, yedek parça olarak veya varolan tasarımlar için temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok