Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7465PBF

MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7465

IRF7465PBF Hakkında

IRF7465PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim ve 1.9A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 15nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 2.5W maksimum güç tüketebilen IRF7465PBF, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Infineon tarafından üretime sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.14A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok