Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7465PBF

SMPS HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7465

IRF7465PBF Hakkında

IRF7465PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 280mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SO surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde ve SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRF7465PBF, 2.5W maksimum güç tüketimi ve 15nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. 10V drive voltajında çalıştırıldığında nominal özelliklerini sergiler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.14A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok