Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7464TR

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7464

IRF7464TR Hakkında

IRF7464TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 730mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. 8-SO yüzeye monte paket içinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor denetim ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Maksimum 2.5W güç tüketebilir. Cihazın kullanımdan kaldırıldığını (obsolete) belirtmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 720mA, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok