Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7464
IRF7464PBF Hakkında
IRF7464PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey monte pakete yerleştirilmiştir. Vgs(th) maksimum 5.5V (250µA'de) ve Rds On değeri 730mOhm (720mA, 10V'de) karakteristikleridir. Gate charge 14nC (@10V) ve input capacitance 280pF (@25V) parametreleriyle çalışır. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Maksimum 2.5W güç harcanabilir. Güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Not: Bu bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 720mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok