Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7464

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7464

IRF7464 Hakkında

IRF7464, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlaması ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montajlı paket ile entegre olup, 730mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. 14nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. Endüstriyel, otoomotiv ve tüketici elektronik uygulamalarında switch elemanı olarak çalışır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 720mA, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok