Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7459

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7459

IRF7459 Hakkında

IRF7459, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli dren akımı ile çalışır. 8-SO yüzey montajlı paket içinde sunulur. 10V kapı-kaynak geriliminde 9mOhm ile çok düşük on-direnci (Rds(on)) sağlayarak güç kaybını minimize eder. 35nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Düşük güç uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2.5W güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok