Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7456PBF

MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7456

IRF7456PBF Hakkında

IRF7456PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 6.5mΩ tipik on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. ±12V gate gerilimi aralığında kontrol edilebilir. Maksimum 2.5W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Yüksek hızlı anahtarlama ve verimli enerji yönetimi gerektiren uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok