Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF743

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF743

IRF743 Hakkında

IRF743, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 350V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 10V gate drive voltajında 800mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon garantisi sunar. 125W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 5.2A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok