Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7422D2PBF

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7422

IRF7422D2PBF Hakkında

IRF7422D2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ile 4.3A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (90mOhm @ 4.5V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Entegre Schottky diyoda sahip tasarımı sayesinde ters diyot kaynağı olarak işlev görür. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi devreleri, batarya uygulamaları, LED sürücüleri ve anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. Düşük gate charge (22nC) ve input capacitance (610pF) değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok