Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7413PBF

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7413

IRF7413PBF Hakkında

IRF7413PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 30V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 13A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Surface mount 8-SO paket yapısında sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. 11mOhm maksimum on-state direnç değeri, düşük güç kaybı uygulamalarında verimliliği sağlar. Switching uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama regülatörlerinde kullanılır. Maksimum 2.5W güç dağılımı kapasitesi ile entegre devreler içinde kolaylıkla yer alabilir. Obsolete durum nedeniyle yedek veya uyumlu alternatif bileşenler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 7.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok