Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF741

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF741

IRF741 Hakkında

IRF741, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drenaj-kaynak gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama ve güç kontrolü uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç kayıpına dayanabilen IRF741, motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve switch-mode güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-220 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 10V gate gerilimi ile 550mOhm RDS(on) değeri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 5.2A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok