Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7406GTRPBF

MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7406

IRF7406GTRPBF Hakkında

IRF7406GTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 5.8A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-direnci (45mΩ @ 10V) ve kompakt 8-SO yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Gate charge değeri 59nC olup, ±20V maksimum gate geriliminde çalışır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında güvenilir işlem yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, cihaz açma/kapama kontrol sistemleri ve düşük gerilim güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Bileşen Infineon katalogunda üretimi durdurulmuş olarak listelenmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok