Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7401PBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7401

IRF7401PBF Hakkında

IRF7401PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 8.7A sürekli drenaj akımı (Id) ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 22mOhm maksimum On-Resistance (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-SO paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, solenoid sürücüsü, güç kaynakları ve akü yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.5W maksimum güç dağılımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok