Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7353D2PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7353
IRF7353D2PBF Hakkında
IRF7353D2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 8-SO (SO8) yüzey montajlı paket içinde sunulur. Entegre Schottky diyot özelliğine sahiptir. 10V gate geriliminde 29mOhm olan düşük on-state direnci sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışır. Maksimum 2W güç tüketimi ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Komponentin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok