Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7353D1TRPBF

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7353

IRF7353D1TRPBF Hakkında

IRF7353D1TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, integrated Schottky diyot içerir. 8-SO (8-pin Surface Mount) paketinde sunulan IRF7353D1TRPBF, 32mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olup düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2W güç tüketim kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok