Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7353D1TR

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7353

IRF7353D1TR Hakkında

IRF7353D1TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 6.5A sürekli drenaj akımı ve 32mΩ @ 10V RDS(on) değerleri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot içeren izole tasarımı sayesinde anahtarlama devrelerinde ters akım koruması sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörleri, güç amflikaları ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 33nC gate charge ve 650pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon gerektiren devrelere uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok