Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7353D1

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7353

IRF7353D1 Hakkında

IRF7353D1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 8-SO yüzey monte pakette sunulmaktadır. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Entegre Schottky diyotu ile üretilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 33nC maksimum gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok