Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7342D2PBF
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7342
IRF7342D2PBF Hakkında
IRF7342D2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajı ve 3.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyot özelliğine sahip olan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve analog sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan ürün, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok