Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7326D2PBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7326D2
IRF7326D2PBF Hakkında
IRF7326D2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 3.6A maksimum sürekli dren akımı ve 100mOhm (10V, 1.8A) on-state direnç değerleriyle çalışır. Surface mount 8-SO paketinde sunulur. Entegre Schottky diyotlu yapısı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve analog anahtarlama devrelerinde uygulanır. Bileşen artık kullanımdan kaldırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok