Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7324D1TRPBF
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7324
IRF7324D1TRPBF Hakkında
IRF7324D1TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim derecesi, 2.2A sürekli Drain akımı ve 270mΩ (4.5V, 1.2A'de) RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketi içerisinde entegre Schottky diyotla sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Minimal gate charge (7.8nC) ve düşük input kapasitansı (260pF) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Anahtarlama devreleri, load switching uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Vgs maksimum ±12V kapasitesiyle geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok