Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7324D1PBF

MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7324

IRF7324D1PBF Hakkında

IRF7324D1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 2.2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 8-SO surface mount pakette sunulmaktadır. 270mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılabilir. Entegre Schottky diyod özelliğine sahip olan IRF7324D1PBF, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük gate charge (7.8nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen güncel üretimde bulunmamakta olup, arşiv uygulamaları veya yedek parça ihtiyaçları için referans olarak kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok