Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7322D1TRPBF

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7322

IRF7322D1TRPBF Hakkında

IRF7322D1TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source geriliminde 5.3A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 62mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. Entegre Schottky diyota sahip olması onu anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç tüketimi maksimum 2W'tır. Kapı yükü 29nC'dir. Geniş endüstriyel uygulamalarda, güç denetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu transistör, düşük gerilim anahtarlama tasarımları için uygundur. Bileşen Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok