Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7322D1TR

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7322

IRF7322D1TR Hakkında

IRF7322D1TR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 5.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 62mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot içeren tasarım, geri akım koruma işlevini yerine getirir. 8-SO (8-pin Small Outline) yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalara uyumludur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme yeteneği, geniş sıcaklık aralığında kullanılmasını mümkün kılar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün yaşam döngüsünü tamamlamış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok