Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7322D1PBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7322
IRF7322D1PBF Hakkında
IRF7322D1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltaj desteğinde 5.3A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 62mΩ maksimum gate-source direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı karakteristiği gösterir. Entegre Schottky diyot yapısına sahip olan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve invertör tasarımlarında kullanılır. 8-SO SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 2W maksimum güç kaybı ile sınırlı termal yönetim gereksinimi olan tasarımlara uygun olup, hız kritik uygulamalarda tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok