Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7322D1

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7322D1

IRF7322D1 Hakkında

IRF7322D1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile 5.3A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Schottky diod özelliğine sahip olan bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve düşük voltaj uygulamalarında yer alır. 62mOhm'luk RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimumla tutulur. Surface Mount 8-SO paketinde sunulan bileşen, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kararlı performans gösterir. Entegre Schottky diyodu sayesinde ters kurtarma özelliği iyileştirilmiştir. Düşük gate charge (29nC) hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok