Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7321D2

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7321

IRF7321D2 Hakkında

IRF7321D2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 4.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 62mOhm maksimum RDS(on) değeri ile 10V gate voltajında çalışır. İzole Schottky diyot özelliği barındıran bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük gerilim DC-DC konvertörlerde kullanılır. Surface mount 8-SO paketine sahip olan IRF7321D2, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 34nC gate charge ve 710pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Lojik seviyesi kontrolü ile uyumlu tasarımı, 2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok