Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF731

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF731

IRF731 Hakkında

IRF731, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 350V Drain-Source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve invertör tasarımlarında yaygın olarak yer almaktadır. 1Ohm maksimum On-Resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 75W maksimum güç saçılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok