Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF730S

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF730S

IRF730S Hakkında

IRF730S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 1Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) ve 38nC gate yükü karakteristikleri ile endüstriyel anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Düşük input kapasitansı (700pF @ 25V) hızlı komütasyon performansı sağlar. Bileşenin life-cycle durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok