Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF730
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF730
IRF730 Hakkında
IRF730, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 400V dren-kaynak gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 5.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama, inverter devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. TO-220-3 paketinde gelen bileşen, 10V gat geriliminde 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığı ve 100W güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yer alır. Yüksek gat yükü (24nC) ve giriş kapasitansı (530pF) özellikleri hızlı komütasyon gerektiren devreler için dikkate alınması gereken parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok