Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF730

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF730

IRF730 Hakkında

IRF730, NTE Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source voltaj kapasitesi ve 5.5A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans gösterir. Gate kontrol voltajı ±20V ile sınırlıdır. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. TO-220 paket tasarımı, PCB montajında kolay ve efektif soğutma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok