Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF730
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF730
IRF730 Hakkında
IRF730, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan IRF730, 74W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. ±20V gate-source gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanına uyum sağlar. Ürün durumu: Obsolete.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok