Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7233
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7233
IRF7233 Hakkında
IRF7233, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20mOhm on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SO surface mount paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, denetim devreleri, şarj yönetimi sistemleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate charge karakteristiği (74nC @ 5V) hızlı anahtarlama ve düşük kontrol gücü gerektiren uygulamalara elverişlidir. Nota: Bu ürün üretim durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok