Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF723
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF723
IRF723 Hakkında
IRF723, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan IRF723, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 10V gate sürü geriliminde 2.5Ohm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 50W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok