Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF721R

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF721R

IRF721R Hakkında

IRF721R, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 350V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 1.8Ω maksimum on-resistance değeriyle anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 50W güç dağıtabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 4V threshold voltajı ile güvenli ve kontrollü komütasyon özelliklerine sahiptir. Through-hole montaj tipi endüstriyel ve gücü kontrol eden uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok