Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF712R
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF712R
IRF712R Hakkında
IRF712R, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source voltaj ve 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 pakette sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 5Ω maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 36W güç tüketebilir. 135pF giriş kapasitesi ve 12nC gate yükü özellikleriyle anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynakları tasarımlarında tercih edilir. 4V kapı eşik voltajı ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok