Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF712
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF712
IRF712 Hakkında
IRF712, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 5Ohm maksimum On-Resistance (Rds On) değerine sahip olup, 10V drive voltajında çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans gösterir ve maksimum 36W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 135pF input kapasitesi ve 12nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok