Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF710S

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF710S

IRF710S Hakkında

IRF710S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilim ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun bir çözüm sunar. 3.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında uygulanabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Üretim sonlandırılmış (obsolete) bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok