Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF710L

MOSFET N-CH 400V 2A I2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRF710L

IRF710L Hakkında

IRF710L, Vishay tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 400V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) through-hole paket içinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürücü voltajında 3.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen ve 17nC gate charge ile hızlı komütasyon yapabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol, AC/DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında uygulanır. Lütfen güncel ürünler için alternatif seçenekleri değerlendirin.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok