Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF710B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF710
IRF710B Hakkında
IRF710B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 400V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, açık durumda 3.4Ω (10V, 1A) on-state direnç gösterir. 10nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRF710B, güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamaya dayalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 36W güç yayımlayabilme kapasitesine ve TO-220 through-hole montaj tipi ile kumanda devrelerine kolay entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok