Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6898MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6898

IRF6898MTR1PBF Hakkında

IRF6898MTR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj ve 35A kontinü drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric MX paketinde sunulan bu bileşen, 1.1mOhm düşük on-state direnci sayesinde enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. Entegre Schottky diyot özelliği ile hızlı anahtarlama ve düşük kayıplar sağlar. Mobil cihazlar, convertörler, güç yönetim sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta), 213A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5435 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok