Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6811STRPBF-INF

DIRECTFET PLUS POWER MOSFET

Seri / Aile Numarası
IRF6811

IRF6811STRPBF-INF Hakkında

IRF6811STRPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. DirectFET Plus paketleme teknolojisini kullanan bu bileşen, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 25V drain-source voltaj kapasitesi ve 74A maksimum drain akımı ile güç dönüştürme, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır. 3.7mOhm on-state direnci ve düşük gate charge karakteristiği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Surface mount DirectFET Isometric SQ paketi kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 74A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric SQ
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok