Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6811STR1PBF
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6811
IRF6811STR1PBF Hakkında
IRF6811STR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşendir. DirectFET™ paket teknolojisi ile yüksek güç yoğunluğu ve düşük termal direnç sağlar. 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Surface Mount montajı için uygun olup, DirectFET™ SQ paketinde sunulur. Bileşen üretimi durdurulmuş olup, yeni tasarımlarda alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 74A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1590 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok