Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6810STRPBF

PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,

Seri / Aile Numarası
IRF6810

IRF6810STRPBF Hakkında

IRF6810STRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu bileşen, 25V drain-source voltajında 16A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 5.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akım ve yüksek verimlilik sunar. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, düşük güç disipasyonu gerektiren anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, güç yönetimi devrelerinde ve mobil cihaz şarj sistemlerinde kullanılır. Surface mount montajı için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1038 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric S1
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET S1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok