Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6810STR1PBF

MOSFET N CH 25V 16A S1

Seri / Aile Numarası
IRF6810

IRF6810STR1PBF Hakkında

IRF6810STR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu komponent, düşük on-direnç (RDS(on)) değeri ile güç uygulamalarında verimliliği artırır. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu transistör, hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde AC-DC dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-40°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Düşük gate charge değeri (11nC @ 4.5V) sayesinde sürücü devreleri basitleştirilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1038 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric S1
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric S1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok