Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6798MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6798

IRF6798MTR1PBF Hakkında

IRF6798MTR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain to Source voltajı ve 37A sürekli drenaj akımı ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ MX paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 1.3mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot içerir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, güç yönetimi ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Surface mount montajı destekler. NOT: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Ta), 197A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok