Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6795MTRPBF

IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Seri / Aile Numarası
IRF6795

IRF6795MTRPBF Hakkında

IRF6795MTRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 32A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. DirectFET™ Isometric MX paket tasarımı, yüksek yoğunluk ve iyileştirilmiş ısı yönetimi için optimize edilmiştir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürme, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 4.5V ve 10V drive voltajında kullanılabilir, ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çeşitli devre tasarımlarına uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok