Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MZ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6785
IRF6785MTR1PBF Hakkında
IRF6785MTR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmış olup, DirectFET™ MZ paket teknolojisi kullanılmaktadır. 10V gate sürüş geriliminde 100mOhm maksimum Rds(on) değeri sunarak düşük kayıp uygulamalarda verimli çalışma sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 36nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Yüzey montajı için optimize edilmiş paket yapısı, kompakt tasarımlar için uygundur. Lütfen güncel ürünler için alternatif seçenekleri değerlendiriniz; bu parça üretim durdurulmuş statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta), 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MZ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok