Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6726MTRPBFTR
IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6726
IRF6726MTRPBFTR Hakkında
IRF6726MTRPBFTR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. DirectFET™ Isometric MT yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 30V Drain-Source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı özelliklerine sahiptir. 1.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahip tasarlanmıştır. Gate threshold gerilimi 2.35V ve maksimum gate gerilimi ±20V'tur. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük gate yükü (77nC) ve kontrollü kapasitans değerleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6140 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok