Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6720S2TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6720S2

IRF6720S2TR1PBF Hakkında

IRF6720S2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajında 11A (Ta) / 35A (Tc) sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlayan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtar uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 12nC maksimum gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount teknolojisiyle modern PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1140 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric S1
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric S1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok